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IGBT模塊的幾項(xiàng)新技術(shù)介紹 IGBT的模塊內(nèi)置整流模塊電路、逆變主回路和再生回路，以降低損耗和降低成本，這種新型模塊稱為功率集成模塊，簡(jiǎn)稱PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模塊是一種高速開(kāi)關(guān)，第四代IG...發(fā)布時(shí)間：2016-02-03 點(diǎn)擊次數(shù)：947 次
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ABB可控硅的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 可控硅（ABB可控硅）是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交...發(fā)布時(shí)間：2016-01-28 點(diǎn)擊次數(shù)：740 次
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IXYS可控硅是變頻調(diào)速系統(tǒng)的核心 IXYS可控硅是變頻調(diào)速系統(tǒng)的核心 八十年代我國(guó)許多企業(yè)大量引進(jìn)了德國(guó)、意大利、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家的紡織化纖設(shè)備。而這個(gè)時(shí)期也正處于通用交流變頻調(diào)速技術(shù)的起步階段，采用(IXYS可控硅)可控硅(SCR)作為開(kāi)關(guān)元...發(fā)布時(shí)間：2016-01-26 點(diǎn)擊次數(shù)：773 次
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IGBT模塊散熱器的發(fā)展與應(yīng)用 IGBT模塊散熱器的發(fā)展與應(yīng)用1概述電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管(SCR)、可關(guān)斷晶閘管(GTO)、晶體管(BJT)、絕緣柵晶體管(IGBT)等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動(dòng)、低損耗、模塊化、復(fù)合化方...發(fā)布時(shí)間：2015-11-05 點(diǎn)擊次數(shù)：905 次
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ABB可控硅的主要用途 普通晶閘管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以*簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果V...發(fā)布時(shí)間：2015-10-29 點(diǎn)擊次數(shù)：863 次
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西門康IGBT的關(guān)斷 當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開(kāi)關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開(kāi)始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少...發(fā)布時(shí)間：2015-09-30 點(diǎn)擊次數(shù)：833 次
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IXYS可控硅的結(jié)構(gòu)和特性 一、的結(jié)構(gòu)和特性 ■IXYS可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見(jiàn)圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多。 ■可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭...發(fā)布時(shí)間：2015-08-27 點(diǎn)擊次數(shù)：1029 次
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對(duì)IGBT模塊的壽命影響很大 本文中所指的軌道交通主要是采用電力牽引的火車和地鐵，其大功率交流傳動(dòng)電力機(jī)車內(nèi)部構(gòu)成有有兩個(gè)重要的功率模塊，即主牽引變流器和輔助變流器。主牽引變流器為牽引機(jī)車提供動(dòng)力，功率*高、電壓*大，運(yùn)作條件*為嚴(yán)酷...發(fā)布時(shí)間：2015-07-23 點(diǎn)擊次數(shù)：1187 次
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ABB可控硅的晶閘管的工作特性 為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)ABB可控硅的晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái)，通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在...發(fā)布時(shí)間：2015-07-15 點(diǎn)擊次數(shù)：899 次
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可控硅的多種分類方法 可控硅有多種分類方法。 （一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 ...發(fā)布時(shí)間：2015-07-09 點(diǎn)擊次數(shù)：874 次
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IXYS可控硅選型 IXYS可控硅選型： 根據(jù)我近些年銷售可控硅的經(jīng)驗(yàn)，很多客戶在購(gòu)買可控硅的時(shí)候，都僅僅是一個(gè)方案。具體要購(gòu)買哪種可控硅，客戶自己也不是很清楚。通常，我們碰到這幾種情況： 1、客戶有幾種擬定的可控硅...發(fā)布時(shí)間：2015-06-30 點(diǎn)擊次數(shù)：916 次
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INFINEON模塊的程序設(shè)計(jì) 在程序設(shè)計(jì)中，為完成某一功能所需的一段程序或子程序；或指能由編譯程序、裝配程序等處理的獨(dú)立程序單位；或指大型軟件系統(tǒng)的一部分。 INFINEON模塊,又稱構(gòu)件,是能夠單獨(dú)命名并獨(dú)立地完成一定功能的...發(fā)布時(shí)間：2015-05-31 點(diǎn)擊次數(shù)：905 次
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IXYS可控硅的形式 IXYS可控硅的形式 (IXYS可控硅)可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器...發(fā)布時(shí)間：2015-05-26 點(diǎn)擊次數(shù)：942 次
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IXYS可控硅檢測(cè)方法 IXYS可控硅（SCR）國(guó)際通用名稱為Thyyistoy，中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。 ...發(fā)布時(shí)間：2015-05-22 點(diǎn)擊次數(shù)：1026 次
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可控硅是變頻調(diào)速系統(tǒng)的核心 八十年代我國(guó)許多企業(yè)大量引進(jìn)了德國(guó)、意大利、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家的紡織化纖設(shè)備。而這個(gè)時(shí)期也正處于通用交流變頻調(diào)速工藝的起步階段，采用可控硅(SCR)作為開(kāi)關(guān)元件的變頻器逐步推廣應(yīng)用，而采用大功率晶體管(GTR)...發(fā)布時(shí)間：2015-05-18 點(diǎn)擊次數(shù)：1056 次
